专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在牺牲层的顶部形成覆盖剩余第二沟道层的第三沟道层，第三沟道层的载流子迁移率大于第二沟道层的载流子迁移率；在基底的顶部形成横跨沟道叠层结构和第三沟道层的栅极结构，在栅极结构两侧的沟道叠层结构和第三沟道层中形成凹槽，凹槽露出沟道叠层结构和第三沟道层的侧壁；在凹槽露出的第一沟道层的侧壁形成底部源漏掺杂层，在凹槽露出的第三沟道层的侧壁形成顶部源漏掺杂层；去除栅极结构和牺牲层；在去除栅极结构和牺牲层的区域形成金属栅极结构。使金属栅极结构环绕覆盖的第一沟道层的载流子迁移率与金属栅极结构环绕覆盖的第三沟道层的载流子迁移率能够达到平衡控制。
