此外，根据行业预测，上海微电子计划在2026年推出28nm DUV光刻机，目标覆盖国内70%的成熟制程需求，这将进一步改变光刻设备市场的竞争态势。
同时，据报道，2025年9月，中芯国际正在测试由上海初创公司宇量昇生产的深紫外线（DUV）光刻机，正测试的光刻机采用浸没式技术，类似于ASML所采用的技术。
报道称，如果能够量产先进的DUV光刻机，这将是中国大陆突破美国芯片出口管制的重大胜利，不仅能减少对西方技术的依赖，还能提升先进AI处理器的产能。
另一方面，在先进技术路线上，中科院光电所的全固态深紫外激光光源技术为国产光刻机提供了新的突破路径。
这套技术采用完全自主的研发路线，能够输出波长193纳米的相干光，与当前被广泛采用的DUV曝光技术的光源波长一致。
尽管中科院的技术在光谱纯度上已接近商用标准，但其输出功率和频率仍远低于现有技术，尚无法满足高产能晶圆制造的需求。
但本次突破，国产设备开辟了创新道路，其更高的电能转换效率与更低的维护成本，有望在未来形成差异化优势。
除此之外，杭州璞璘科技通过纳米压印光刻（NIL）这一替代技术也实现了国内技术的新突破。
其于2025年8月交付了首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备，成为我国首台半导体级步进式纳米压印光刻系统，可实现10nm级制程加工。
由于其不依赖于昂贵的激光光源，压印技术的成本大大低于EUV，同时还可以实现更高的生产效率。纳米压印光刻机为芯片制造厂商，提供了一条低成本的替代路径。
