作为全球唯一能量产极紫外（EUV）光刻机的企业，其设备包含10万余个零件，需全球超500家供应商协同制造，研发投入常年占营收15%以上，这种"全球技术整合"能力形成了难以逾越的护城河。
美国主导的技术封锁已从尖端领域蔓延至成熟制程，给我国厂商带来全链条冲击。2025年新规将限制范围扩展至3nm以下技术、量子计算设备及先进材料制造设备，实施 "推定拒绝"审批原则，连澳门地区也被纳入管制。
更严峻的是，2024 年荷兰政府撤销部分已颁发的出口许可证，涉及分辨率 90 纳米及以下的DUV设备，直接导致中芯国际等企业产能扩张计划延迟。
我国在自主化领域的突破值得肯定，但清醒认知差距是持续前进的关键。
图源：图虫创意
上海微电子28nm浸没式光刻机、全固态深紫外激光光源技术等，这些进展印证了封锁倒逼创新的现实，但必须正视我们的技术代差仍客观存在，ASML High-NA EUV已进入客户验证阶段，而我国刚实现 28nm 量产突破，先进制程差距达两代以上。
其二，我国生态协同尚处初级阶段，ASML 通过与顶尖晶圆厂共建实验室实现设备与制程深度绑定，我国设备企业仍需时间积累客户验证数据。
同时，我国的供应链韧性待加强，光刻机所需稀土加工我国占全球80%，但高端光学材料等仍依赖进口，存在"反制手段与自身短板并存"的局面。
而更深层的现实是，即便面临外部封锁，国内厂商对自研替代技术的选用仍保持审慎，这种态度背后是多重现实因素的叠加。
最核心的障碍在于市场验证缺失形成的信任壁垒。半导体设备的特性决定了其必须与下游产线深度磨合，从研发阶段就需要设备商与晶圆厂协同迭代，这种长期绑定关系让企业难以轻易更换供应商。
中微公司创始人尹志尧曾直言，正因为技术和设备被西方垄断，准入门槛不对称，企业用了美国的设备20年，突然中国的一个新公司说"你用我的新设备"，一般来说人家是不愿意试用的。
对晶圆厂而言，更换设备意味着要承担磨合成本、良率下降乃至订单丢失的风险，这些损失远大于国产设备可能带来的成本优势。
ASML的设备经过数十年市场验证，已与台积电、三星等企业的制程工艺形成深度适配，而国产设备即便技术参数达标，也缺乏大规模量产场景下的性能校验，这种 "无经验可循" 的不确定性让厂商望而却步。
成本与收益的失衡同样制约着替代进程。中芯国际2021年斥资12亿美元续签ASML 采购协议的举动，便凸显了在市场商机与技术风险间的现实选择，即便面临交付不确定性，成熟设备仍是产能扩张的优先选项。
这些因素共同构成了自主化路上的"隐性门槛"，也让清醒认知显得尤为重要，ASML 前总裁温宁克所言的"封锁只会逼中国加速自研"并非虚言，但加速不等于捷径。
国产技术从实验室走向产线，不仅需要突破技术瓶颈，更需要跨越信任壁垒、成本陷阱与生态鸿沟，而这一切都离不开时间与市场的锤炼。正视厂商对自研技术的审慎态度，理解其背后的现实考量，才能更客观地把握自主化进程的节奏与方向。
