由于存储价格飞涨带来的机遇，长鑫科技迅速获得超过100亿美元利润，并且毫不吝惜，扩大产能，并且大量对研发投入。
由于，美国对中国半导体出口限制，成就了中国国产化的动力。现在，中国半导体生产设备的国产化率从不到10%，已经接近40%。
美国的对华半导体限制，造成大量的中国工程师从世界各大半导体设备公司离开，这些工程师回到中国，主导了中国半导体技术发展。
就算长鑫科技可以生产"LPDDR6"，
现阶段韩国方面还是与韩国三星以及SK技术上还有明显差距。并且，在高宽带存储HBM的差距尤为明显。
韩国企业已经生产HBM4，甚至先进的高宽带存储，而中国现在还只能生产HBM3。"代差"相差的时间，甚至有4年以上的时间。
但是，实际的情况远远要比韩国方面"乐观"估计严重。中国正在利用发展黄金期，迅速缩小与韩国企业的技术差距。
韩国半导体协会最新消息，中国与韩国在半导体技术的差距，HBM上不是4年，而是缩短到3（2.5年）年时间，DRAM的差距不足2年的时间，NAND的差距已经在几个月。
一年前，韩国方面还认为相差5年以上，现在一下子缩短到3年时间，也就是1代的差距。
其中长鑫科技不仅要在主业DRAM上挑战韩国的技术优势，也要在HBM上缩短与韩国企业的技术差距。
已经传出长鑫科技正在批量测试HBM3E，如果顺利，今年年底，或者明年，就可以量产，并且投入市场。这就是相差三星，SK，仅1年的"代差"的产品。
中国方面成功的根源就在于使用了长江存储的"堆叠"技术，后工程技术，"异种结合"技术，虽然没有先进的芯片制造机械，但可以在后工序弥补。
当韩国，美国公司都在集中生产高收益的HBM时，长鑫科技却在稳步前行，利用DRAM获得充足资金，增加下一代半导体设备，以及对HBM的开发投入。
由于世界的计算机以及手机对DDR5等存储的需求量急剧增加，价格也在飞快上涨。
长鑫科技的DRAM对市场份额的扩大也在迅猛发展中。2026年6月的统计，长鑫科技已经占据10%的市场份额。是2025年的2倍以上增加。
长鑫科技的NAND的市场份额从2025年的9%，上升到2026年9月的14%。并且长鑫已经发出声音，到2027年，要成为世界第一。
现在就连苹果手机都在测试长鑫的存储芯片，因为韩国企业开出的涨价条件太苛刻。
被美国制裁，中国在芯片制造上缺乏先进的光刻机，困难远远高于韩国企业。但是，中国在存储行业的发展韧劲，超出了韩国企业的预想。
长鑫科技，长江存储这样的高科技企业能够崛起。是因为，背后有中国市场的支持，有中国国内的需求，并且中国能够集中力量干大事。
