经过10年的卧薪尝胆的努力，中国存储企业已经进入世界存储半导体的竞争行列。
其中刚刚上市的中国存储巨头长鑫技术的发展速度，甚至被国外同行称为"长鑫冲击"。
2026年9月20日，在世界制造大会上，长鑫科技宣布第5代技术平台（G5）已经正式量产，并且向公众展出了该平台的新品。
据透露，长鑫的第5代技术平台采用四重曝光技术，把内存阵列的有源区半间距做到了11.95纳米，已经无限接近了韩国两大竞争对手的技术水平。
同时，这个工艺产量获得很大的提升，每张晶圆的裸片产出量要比上一代平台提升了50%。
并且，结构更加优化，存储电容的深宽比，达到45:1，核心功能区高度降至6762纳米，能效与成本控制更加合理。新产品主要用于中高端智能手机，便携式消费电子产品。
其实这个消息已经是第二次冲击。第一次冲击是在2026年8月29日，长鑫科技宣布其"LPDDR6"产品已经开始量产。
