【文/观察者网 吕栋】日前，三星电子在财报中展望2022年二季度的表现时提到，"将通过在世界上首次量产3nm制程（GAA 3-nano）来提高技术领先地位"。这被外界解读为该公司将在未来几周实现3nm制程量产。而全球最大的晶圆代工厂台积电按计划要到2022年下半年才能量产3nm，在时间上落后于三星电子。
尽管台积电对竞争对手不予置评，但台媒《经济日报》还是为台积电"站台说话"，称三星虽然宣称3nm即将量产，但从晶体管密度、功耗等关键指标看，三星的3nm实际上与台积电的4nm及英特尔的Intel 4（原英特尔7nm）制程相当，且良率可能存在问题。
台媒评论三星，"表面上赢了面子，实际上还是输了里子"。
台湾《经济日报》报道截图
作为当前全球芯片代工市场的"老二"，三星电子一直希望能在晶圆代工领域超车"老大"台积电。但双方均持续投入，竞争格局近年来并无明显变化，台积电目前仍占据着全球过半份额。
因此，三星电子不得不从制程方面下手，希望通过领先台积电量产更先进的制程，来争夺更多的客户。
4月底，三星电子披露了2022年一季度财报。在提到代工业务时，该公司透露，尽管一季度存在供应等问题，但需求稳定，先进制程的供应有所增长。展望第二季度，该公司表示，将通过在全球率先实现3nm制程量产来提升技术领先地位，还将通过扩大供应，争取包括美国和欧洲公司在内的全球更多客户的新订单。
三星电子财报截图
TechSpot等国外科技媒体指出，三星这一表态代表着该公司正全力准备让使用环绕闸极技术（GAA）架构的3nm制程在今年上半年进入投产阶段，也就是在未来8周内启动量产程序。
台积电的3nm制程也计划在2022年量产，不过是在下半年。
在4月上旬举行的业绩会上，台积电方面透露，采用鳍式场效晶体管（FinFET）架构的3nm依原计划在下半年量产，将是下个大成长节点；2nm制程预计于2025年量产，有望业界领先。
据三星方面透露，相较于该公司目前采用鳍式场效晶体管（FinFET）架构的7nm制程，即将量产的3nm制程可以在0.75伏特以下的低电压环境工作，使整体耗电量降低50%，效能提升30%，芯片体积减少45%。
