中国企业正通过技术突破、产能扩张和产业链协同，填补全球40%的存储缺口。这场由AI驱动的"超级周期"导致存储芯片供需失衡，国际巨头将产能转向高利润的HBM（高带宽内存），让出了万亿市场空白，为中国企业提供了历史性窗口。
技术破局：追平国际水平
在DRAM领域，长鑫存储作为国内龙头，其自主研发的DDR5内存芯片速率高达8000Mbps，LPDDR5X最高速率达10667Mbps，性能跻身国际领先水平。更关键的是，在AI核心的HBM技术上，长鑫存储已向华为等客户交付HBM3样品，计划2026年实现量产，将与国际巨头的技术差距缩小到2-3年。
而在NAND Flash方面，长江存储凭借独创的Xtacking架构，3D NAND堆叠技术已迭代至232层以上，良率稳定突破90%，性能进入全球第一梯队。这些突破意味着，国产存储芯片不再只是"跟跑"，而是在关键指标上实现了"并跑"。
