哈尔滨工业大学在光刻机技术领域取得重大进展，成功研发出13.5纳米极紫外光源，引发各界广泛关注。这一成果是否意味着中国芯片长期面临的困境即将彻底破解？答案尚待时间检验。
哈工大此次的技术突破意义非凡，其研发的"放电等离子体极紫外光刻光源"技术，攻克了极紫外光源这一光刻机核心部件的诸多难题，能够稳定产出中心波长13.5纳米的极紫外光，一举填补国内在EUV光刻机光源领域的空白。该技术展现了我国高端制造从无到有的自主创新实力，为国产光刻机自主研发之路点亮了一盏明灯，也为全球半导体技术未来走向提供了新的可能，标志着我国芯片制造在关键核心技术层面迈出坚实一步，逐步摆脱对国外技术的过度依赖。
这一突破对产业发展的推动作用同样不容小觑。随着后续研发深入与成果转化落地，有望开启国产光刻机新时代，降低芯片制造成本，提升国产芯片在全球市场的竞争力，带动整个芯片制造产业链蓬勃发展。
然而，必须清醒认识到，尽管曙光初现，但中国芯片产业前路依旧荆棘密布。在光刻机整机制造环节，光源只是其中拼图之一。要实现整机量产商用，镜头精密制造、高精度运动控制系统搭建，以及复杂精细的整机调试适配等诸多技术堡垒，仍有待一一攻克，从当前成果迈向实用化的征程依旧漫长。
芯片制造全流程复杂，除光刻机外，晶圆制备、氧化、掺杂、薄膜等诸多工序对应的高端设备与先进工艺，我国与国际前沿水平尚有差距，全方位补齐短板任务艰巨。
国际形势上，美国等西方国家技术封锁并未放松，高端光刻机及关联技术对华出口限制重重，关键原材料、设备引进阻碍不断，为产业发展蒙上阴影。同时，芯片行业人才极度稀缺，现有人才培养体系难以满足产业高速发展需求，高端人才缺口成为制约创新发展的瓶颈。
展望未来，一方面，我国需坚定持续创新信念，强化高校、科研院所与企业间协同联动，深度整合产学研资源，全力攻克光刻机整机及芯片制造全流程关键技术。另一方面，政府应持续完善政策扶持体系，加大资金投入、落实税收优惠、强化知识产权保护，为芯片产业营造优质发展土壤。在立足自主的同时，积极拓展国际交流合作，开辟国际市场空间，多方合力，助推中国芯片产业稳步迈向光明未来。
