新规的影响主要涉及三个方面：
将中国主要半导体设备商纳入实体清单；加大了中国半导体行业获取HBM技术的管制；实施"长臂管辖"， 新规升级，对部分公司启用FDPR（外国直接产品规则）第三方国家的公司向部分"实体清单"的公司提供产品也需要获得美国的出口许可。
本次制裁内容与此前媒体报道内容差别不大，市场已有所预期，由于相关企业已有准备，已经提前进行了长期囤货和去美供应链切换，短期实际影响有限，对企业业务连续性不构成显著影响，长期而言则需放弃幻想，自立自强，有望进一步加速全产业链国产化进程。
当前，半导体底层技术的自主可控已形成共识，近几年的国产替代亦取得一定成效，但是在产业链最上游的核心设备及零部件、决定先进制程的光刻机、影响AI芯片升级的核心硬件HBM等领域，依然有较大差距。
而当前白热化的科技制裁，也将使国产替代进程再次提速，自主可控进程迈入新阶。
1）设备方面，若未来制裁限制相关半导体设备出口，利好国内光刻机等半导体核心设备自主可控方向；
2）AI方面此前对华制裁主要针对GPU产品，若本次制裁限制HBM的出口，由于HBM在AI领域有着至关重要作用，目前市场被三星、SK海力士与美光垄断下国产化率极低，短期内或将影响国内人工智能产业配套。
3）未来的限制政策将继续加速晶圆代工往国内转移，加速高端设备、高端封测以及HBM产品开发等产业链发展，半导体有望由"受限"走向"自强"，自主可控有望加速。
半导体各环节国产化，系实现半导体产业链自主可控关键一环。
（1）材料：国产厂商在多类材料的自给能力低，主要为中低端产品，在强技术壁垒的高端材料领域，国产化能力较为薄弱，且材料属于耗材类产品，故国产化更为迫切。根据观研天下数据，2022年硅片国产化率仅为9%，至2024年8英寸硅片国产化率达55%；2022-2024年光掩模由国产化率30%向晶圆厂商自产为主转变；键合丝国产化率由2022年的不足20%提升至30%；目前我国半导体材料国产化仍存在挑战，如12英寸硅片国产化率仅为10%，光刻胶国产化率为10%，电子气体国产化率为15%，是电子化学品国产化率为10%（G3及以上）。
（2）设备：中国半导体设备厂商已覆盖多个细分领域，其中在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高，在CMP、热处理、薄膜沉积设备上有所突破，而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备上的国产化程度仍较低。根据沙利文&头豹数据中国大陆半导体设备国产化率稳步提升，刻蚀设备、薄膜沉积设备、清洗设备CMP抛光设备的国产化率位于10%-30%之间，热处理设备国产化率位于30%-40%之间，去胶机国产化率达到80%以上；光刻、量/检测设备、离子注入设备、涂胶显影设备国产化率仍较低，处于5%以下。
（3）代工：台积电7nm工艺分为第一代7nm工艺（N7）、第二代7nm工艺（N7P）和7nm EUV（N7+）其中，N7和N7P使用的是DUV光刻技术，而N7+则采用4层EUV光刻技术台积电第一代7nm工艺技术表明可以通过多重曝光技术和浸没式光刻技术来实现7nm节点。（4）EDA：根据全球半导体观察数据，全球EDA市场仍以新思科技、楷登电子、西门子三家巨头为主导，市场集中度高达近70%；国内厂商中华大九天、概伦电子、广立微、芯华章等企业迈入全球EDA市场第二三梯队华大九天模拟全流程整体可支持28nm及以上制程设计，其中电路仿真工具可支持4nm，晶体管级电源完整性分析工具可支持14nm；概伦电子核心制造类能够支持7nm/5nm/3nm等先进工艺节点和FinFET、FD-SOI、GAAFET等各类半导体工艺路线，核心设计类支持7nm/5nm/3nm等先进工艺节点和FinFETFD-SOI等各类半导体工艺路线；广立微优势在于成品率提升领域下的软硬件产品全流程覆盖。
