2005年，朱一明带着深耕多年的核心技术以及凑齐的92万美元启动资金回国，并在清华科技园的支持下创立了北京芯技佳易微电子科技有限公司（兆易创新前身）。创业之初，兆易创新避开了由三星、海力士等巨头垄断的DRAM市场，选择主攻NOR Flash这个相对小众的利基市场。
2010年后，兆易创新SPI NOR Flash（闪存）等新品开始批量出货，公司存储类芯片销量很快就突破了1亿颗，营收进入快车道。2013年，兆易创新又极具前瞻性地推出了中国首款ARM Cortex-M架构的通用MCU产品（GD32系列），一举打破了国外垄断。2016年，兆易创新成功登陆A股，成为国内存储芯片设计的标杆企业。
在成功攻克NOR Flash这一细分赛道后，朱一明又将目光投向了更具战略意义的DRAM市场。2016年5月，朱一明与合肥政府达成协议，双方联合创立长鑫科技，全力攻坚技术壁垒极高的DRAM制造。2017年10月，兆易创新与合肥产投签署为期5年的合作协议，双方将在合肥经济技术开发区联合开展19nm制程的12英寸晶圆存储器研发项目，项目预算约180亿元人民币，由双方按1:4比例筹集，合肥产投承担约144亿元。
2018年1月，长鑫科技12英寸晶圆存储器项目一期厂房建成。当年7月，长鑫科技正式宣布投产电性片，同时发布首颗中国自主研发的8Gb LPDDR4 DRAM芯片，这也是国产DRAM史上首颗"Made in China"产品。
2019年9月，长鑫科技正式宣布首批19纳米（nm）工艺的DDR4内存芯片量产，这是中国大陆首颗自主研发并实现规模生产的DRAM芯片，标志着中国在该领域正式实现"从零到一"的突破。据悉，该芯片为8Gb DDR4，采用19nm级制程，与当时国际主流DDR4工艺节点（如美光、三星的1X/1Y nm）基本同步。至此，长鑫科技成为全球第四家掌握20nm以下DRAM技术的公司。
