近些年，美国半导体巨头英特尔在先进制程上的延误，不仅给了台积电、三星在芯片制造上领先的机会，也使得自家CPU等产品受到拖累，导致市场份额被AMD蚕食、股价受挫。要想重现往日辉煌，这家坚持IDM模式（垂直整合制造）的老牌巨头，首先还是要在制程上实现反超。
近日在2023英特尔中国战略媒体沟通会上，英特尔研究院副总裁、英特尔中国研究院院长宋继强告诉观察者网，英特尔正通过"四年五个节点"的计划，加速推动摩尔定律。
"相信到2025年，英特尔能通过Intel 18A（1.8nm）节点，重新拿回制程、晶体管制造方面的领先地位，英特尔的愿景是到2030年可以在一个封装内集成1万亿个晶体管。"
宋继强透露，英特尔所说的"五个节点"分别是Intel 7、Intel4、Intel 3和Intel 20A、Intel 18A。在Intel 7（原10nm制程）上，英特尔使用的还是DUV（深紫外）光刻机，从Intel 4（原7nm制程）开始使用EUV（极紫外）光刻机，Intel 3将全面使用EUV光刻机。
英特尔制程路线图
"到Intel 20A又会有很大突破，这个突破源自于几样非常先进的设备。"宋继强表示，英特尔到Intel 20A会开始采用高数值孔径（High NA）的EUV，这种光刻机可以去刻画更细的特征尺寸，分辨率更高，可以减少工艺流程的复杂度，降低缺陷，制造更高性能的晶体管。
观察者网之前报道过，早在2018年，英特尔就率先向荷兰光刻机巨头阿斯麦下单第一代高数值孔径（0.55 NA）EUV光刻机，该公司也有望成为首个0.55 NA EUV光刻机的使用者。这种光刻机每台售价约为3亿美元（约合人民币19亿元），比0.33 NA光刻机的售价高出一倍。
在同一场沟通会上，英特尔中国区董事长王锐向观察者网透露，Intel 7已经批量生产，Intel 4今年下半年就会进入市场，Intel 3的进度也非常好。接下来是Intel 20A、Intel 18A，20A是2nm，18A就是1.8nm，现在已经流片，所以英特尔坚信到2025年能"重回领先地位"。
据宋继强介绍，在晶体管结构层面，英特尔在Intel 20A中会应用RibbonFET，之前的Intel 7、Intel 4、Intel 3全都是FinFET鳍式晶体管，而RibbonFET是GAA全环绕栅极晶体管的一种实现。同时，在Intel 20A，英特尔还将首次在晶体管结构里采用背部供电结构，这可以让逻辑层和供电层分开，否则绕线会很复杂，因此背部供电能在绕线方面节约大量成本。
目前，英特尔在先进制程上最大的竞争对手无疑是台积电和三星，这两大巨头已在2022年相继量产3nm。尽管外界不断质疑台积电、三星在制程命名上玩文字游戏，甚至三星的3nm制程晶体管密度还不如英特尔7nm制程，但王锐等高管也坦承，英特尔在制程上确实落后了。
台积电、三星、英特尔等厂商不同制程节点的晶体管密度对比 图源：DigiTimes
激烈竞争之下，台积电和三星已相继官宣2025年将量产2nm制程，英特尔要想在2年后完成制程上的超越，就必须在2025年实现Intel 18A量产，但这谈何容易？
