不仅有骁龙X60 5G基带芯片,高通新推出射频前端ultraSAW滤波器技术

2020-02-19 18:00     DoNews

DoNews 2月19日消息(编辑 叶辰) 昨天,高通宣布了第三代5G基带骁龙X60芯片,基于5纳米工艺打造,支持Sub-6和mmWave之间的载波聚合,拥有最高7.5Gbps的下载速度和3Gbps的上传速度。IT之家获知,骁龙X60支持支持5G FDD-TDD 6GHz以下频段载波聚合、5G TDD-TDD 6GHz以下频段载波聚合、毫米波-6GHz以下频段聚合。

除了手机芯片及调制解调器(基带芯片)研发之外,高通正在积极将优势扩展至射频前端相关领域。高通表示,面向5G/4G移动终端,推出了突破性的Qualcomm ultraSAW射频滤波器技术。该技术可实现卓越的滤波器特性,大幅提升2.7 GHz以下频段的射频性能,带来包括出色的发射、接收和交叉隔离能力、高频率选择性在内的多项优势,支持OEM厂商在5G和4G多模移动终端中以更低成本实现更高能效的射频路径。

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滤波器是射频前端的核心组件,主要用于将手机发射和接收的无线电信号从不同频段中分离出来。滤波器包括声表面滤波器(SAW)、体声波滤波器(BAW)、MEMS滤波器和IPD等,其中SAW和BAW是应用最为广泛的滤波器种类。

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高通ultraSAW滤波器的主要特点是:出色的发射、接收和交叉隔离能力;高频率选择性;品质因数高达5000-明显高于与之竞争的BAW滤波器的品质因数;极低插入损耗以及出色的温度稳定性,维持在个位数的ppm/开尔文范围内的极低温度漂移。

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高通强调,ultraSAW对于进一步提升高通的射频前端(RFFE)产品组合和骁龙TM 5G调制解调器及射频系统的性能至关重要。目前,高通正在多条产品线中集成ultraSAW技术,包括功率放大器模组(PAMiD)、前端模组(FEMiD)、分集模组(DRx)、Wi-Fi分离器、GNSS分离器和射频多工器。

据悉,采用高通ultraSAW技术的一系列分立式和集成式产品于2020年第一季度开始量产,OEM厂商采用该技术推出的商用旗舰终端预计于2020年下半年推出。

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