【编译/观察者网 李焕宇】当地时间11月23日，美国威逼利诱下的韩国半导体巨头三星电子终于敲定了在美建厂的计划。副会长金基南宣布，三星将在得克萨斯州的泰勒市投资170亿美元，建设有5纳米先进制程的芯片代工厂。
这一天距离三星宣布要在美国建第二个工厂已过去6个多月。《华尔街日报》在报道时还不忘拱火，称：“随着中美竞争的加剧，把大量先进芯片厂设在中国周边地区的风险越来越大。”
地缘政治干预商业决策情况今后显然不会减少。《华尔街日报》直截了当地表示：“三星将不得不学会如何处理地缘政治与先进芯片制造之间日益紧密的关系，在世界最大经济体占据世界最重要行业的技术制高点是一件令人羡慕的事情，但并不一定让人感到舒适。”
三星宣布在美国建先进芯片厂
据韩国纽西斯通讯社11月24日报道，23日当天，金基南在美国得克萨斯州州长官邸举行了记者招待会，正式公布三星电子已就新芯片代工生产线的投资事宜与美国泰勒市达成协议。新工厂将于明年上半年开工，计划在2024年的下半年启动生产，预计总投资规模将达170亿美元。这不仅是三星在美国规模最大的投资，也是三星在海外规模最大的一次投资。
此前三星电子已经在得州首府奥斯汀建有一座工厂，本次建设的新工厂面积将是485万平方米，4倍于奥斯汀厂，两厂之间相距仅25公里。三星电子称，这是在考虑了同现有工厂的生产线协同、芯片生态、基础设施稳定性、地方政府合作意愿以及地区地区社会发展等多方因素后所做的决定。
新厂将采用5纳米以下的尖端制程，预计将生产用于5G、高性能计算机群、人工智能等多种领域的尖端半导体。三星电子表示，他们计划通过此次投资扩大半导体产能，以应对不断增长的尖端半导体需求，为全球半导体供应链的稳定做出贡献。
三星泰勒新厂（蓝点）和奥斯汀厂（灰点）的位置 图片来源：韩联社
