台积电的“喘息”给了三星和英特尔奋起直追的机会，按照各家的规划，三星会率先在3NM节点采用GAA晶体管工艺，向台积电发起“进攻”。另一方面，按照英特尔的研发路线，他们会在2024年实现20A工艺量产，大概相当于2NM工艺。到了2025年，英特尔还会继续向更高难度的工艺进发，量产18A工艺。
据悉，英特尔从20A工艺开始放弃FinFET工艺，转为RibbonFET以及自家独有的PowerVia。这两种工艺率先面向高通、亚马逊这样的大客户。PowerVia是业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输，而RibbonFET则是一种类似GAA晶体管的工艺，可以实现更快的晶体管开关速度，与多鳍结构相同的驱动电流，占用空间比FinFET还要更小。
